casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 139L3 E6327
codice articolo del costruttore | BCR 139L3 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 139L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 139L3 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 139L3 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 139L3 E6327-FT |
PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,135
NXP USA Inc.
PDTC144TE,115
NXP USA Inc.
PDTC144VE,115
NXP USA Inc.
PDTC144WE,115
NXP USA Inc.
PDTA113EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TMB,315
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27I7N
Intel
XC4028XL-09BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160A
Microsemi Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel