casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / CSD87502Q2
codice articolo del costruttore | CSD87502Q2 |
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Numero di parte futuro | FT-CSD87502Q2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD87502Q2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.4 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 353pF @ 15V |
Potenza - Max | 2.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WSON (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87502Q2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD87502Q2-FT |
SIZF920DT-T1-GE3
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