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Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3

Name: SIZ998DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ998DT-T1-GE3
Price: 0.54824 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (421 reviews)

Numero parte MFG: SIZ998DT-T1-GE3

quantità disponibile: 39300 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.54824

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIZ998DT-T1-GE3.pdf

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SIZ998DT-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIZ998DT-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIZ998DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIZ998DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Potenza - Max	20.2W, 32.9W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PowerPair®
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ998DT-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIZ998DT-T1-GE3-FT

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