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Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3

Name: SIZ926DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ926DT-T1-GE3
Price: 0.460768 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (746 reviews)

Numero parte MFG: SIZ926DT-T1-GE3

quantità disponibile: 84160 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.460768

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIZ926DT-T1-GE3.pdf

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SIZ926DT-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIZ926DT-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIZ926DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIZ926DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Potenza - Max	20.2W, 40W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PowerPair® (6x5)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ926DT-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIZ926DT-T1-GE3-FT

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