casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIZ980DT-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIZ980DT-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIZ980DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIZ980DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V |
Potenza - Max | 20W, 66W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ980DT-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIZ980DT-T1-GE3-FT |
SI5915DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5915DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5920DC-T1-E3
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SI5920DC-T1-GE3
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SI5933CDC-T1-E3
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SI5933CDC-T1-GE3
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SI5933DC-T1-GE3
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SI5935CDC-T1-E3
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SI5935DC-T1-GE3
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SI5975DC-T1-E3
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