casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIZ920DT-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIZ920DT-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIZ920DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIZ920DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 15V |
Potenza - Max | 39W, 100W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ920DT-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIZ920DT-T1-GE3-FT |
SI5933CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5933DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5935CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5935DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5975DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5975DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3900DV-T1-E3
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SQ3987EV-T1_GE3
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SI3552DV-T1-GE3
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SQ3985EV-T1_GE3
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XC4006E-4TQ144C
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XC3S2000-4FG456I
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XC6SLX25-L1FG484I
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A3P1000-FGG256T
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A1020B-1PL68C
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3N
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5SGXMA7N2F45C2LN
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XC7A35T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN672I
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EP20K300ERC208-2
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