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Texas Instruments CSD85312Q3E
- Numero parte MFG
- CSD85312Q3E
- quantità disponibile
- 10120 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.30576
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Texas Instruments
- Breve descrizione
- NexFET™ MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- CSD85312Q3E.pdf
CSD85312Q3E specificazioni
| codice articolo del costruttore | CSD85312Q3E |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-CSD85312Q3E |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | NexFET™ |
| CSD85312Q3E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.5W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CSD85312Q3E Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | CSD85312Q3E-FT |
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