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Texas Instruments CSD85312Q3E

Name: CSD85312Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD85312Q3E
Price: 0.30576 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (61 reviews)

Numero parte MFG: CSD85312Q3E

quantità disponibile: 10120 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.30576

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Texas Instruments

Breve descrizione: NexFET™ MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: CSD85312Q3E.pdf

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CSD85312Q3E specificazioni

codice articolo del costruttore	CSD85312Q3E
Numero di parte futuro	FT-CSD85312Q3E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	NexFET™
CSD85312Q3E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Potenza - Max	2.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-VSON (3.3x3.3)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD85312Q3E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	CSD85312Q3E-FT

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