casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIS990DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIS990DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIS990DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIS990DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 50V |
Potenza - Max | 25W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS990DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIS990DN-T1-GE3-FT |
SI5904DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5904DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5915BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5915BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5915DC-T1-E3
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SI5915DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFE2-20SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
5SGXEA3K2F40C1N
Intel
EP4SGX360KF40C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3
Intel
5CEBA2U15I7
Intel