casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI7925DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7925DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7925DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7925DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7925DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7925DN-T1-GE3-FT |
SI5902DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5903DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5903DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5904DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5904DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5915BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
Intel
EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
Intel
EP2AGX65DF29I3
Intel