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Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3

Name: SIZF906DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZF906DT-T1-GE3
Price: 0.593824 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (385 reviews)

Numero parte MFG: SIZF906DT-T1-GE3

quantità disponibile: 93390 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.593824

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIZF906DT-T1-GE3.pdf

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SIZF906DT-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIZF906DT-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIZF906DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIZF906DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potenza - Max	38W (Tc), 83W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PowerPair® (6x5)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZF906DT-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIZF906DT-T1-GE3-FT

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