casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIZF906DT-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIZF906DT-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIZF906DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIZF906DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
Potenza - Max | 38W (Tc), 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZF906DT-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIZF906DT-T1-GE3-FT |
SI5904DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-E3
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SI5905BDC-T1-GE3
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SI5905DC-T1-E3
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SI5905DC-T1-GE3
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SI5915BDC-T1-E3
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SI5915BDC-T1-GE3
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SI5915DC-T1-E3
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SI5915DC-T1-GE3
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SI5920DC-T1-E3
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