casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD18537NKCS
codice articolo del costruttore | CSD18537NKCS |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CSD18537NKCS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD18537NKCS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18537NKCS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD18537NKCS-FT |
SSM6J771G,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6H19NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60X,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel