casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK12V60W,LVQ
codice articolo del costruttore | TK12V60W,LVQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK12V60W,LVQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK12V60W,LVQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DFN-EP (8x8) |
Pacchetto / caso | 4-VSFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK12V60W,LVQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK12V60W,LVQ-FT |
TK290P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK380P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3P50D,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40P03M1(T6RDS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK45P03M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK560P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60P03M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel