casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK12V60W,LVQ
codice articolo del costruttore | TK12V60W,LVQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK12V60W,LVQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK12V60W,LVQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DFN-EP (8x8) |
Pacchetto / caso | 4-VSFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK12V60W,LVQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK12V60W,LVQ-FT |
TK290P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK380P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3P50D,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40P03M1(T6RDS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK45P03M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK560P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60P03M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel