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Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ

Numero parte MFG
TK10V60W,LVQ
quantità disponibile
86370 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.232
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TK10V60W,LVQ specificazioni

codice articolo del costruttore TK10V60W,LVQ
Numero di parte futuro FT-TK10V60W,LVQ
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DTMOSIV
TK10V60W,LVQ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 88.3W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DFN-EP (8x8)
Pacchetto / caso 4-VSFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK10V60W,LVQ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK10V60W,LVQ-FT

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