casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK16V60W,LVQ
codice articolo del costruttore | TK16V60W,LVQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK16V60W,LVQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK16V60W,LVQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 139W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DFN-EP (8x8) |
Pacchetto / caso | 4-VSFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK16V60W,LVQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK16V60W,LVQ-FT |
TK380P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3P50D,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40P03M1(T6RDS-Q)
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TK45P03M1,RQ(S
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TK560P65Y,RQ
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TK60P03M1,RQ(S
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TK6P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6P65W,RQ
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TK7P60W,RVQ
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TK7P60W5,RVQ
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ICE40UL640-SWG16ITR50
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A54SX16P-VQ100M
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5SGXEA9N2F45I2N
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ICE40LP640-CM36
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LFXP2-8E-5FTN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
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