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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF

Numero parte MFG
SSM6H19NU,LF
quantità disponibile
39610 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.08052
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSVII-H MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SSM6H19NU,LF specificazioni

codice articolo del costruttore SSM6H19NU,LF
Numero di parte futuro FT-SSM6H19NU,LF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVII-H
SSM6H19NU,LF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.2V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-UDFN (2x2)
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6H19NU,LF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SSM6H19NU,LF-FT

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