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codice articolo del costruttore | CIG21W1R5MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIG21W1R5MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG21W |
CIG21W1R5MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±25% |
Valutazione attuale | 960mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21W1R5MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG21W1R5MNE-FT |
CIGW252010GLR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel
EPF8636AQC160-3
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel