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codice articolo del costruttore | CIGT201610LM2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201610LM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610LM2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.6A |
Corrente - Saturazione | 1.7A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 154 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610LM2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201610LM2R2MNE-FT |
CIG32H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel