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codice articolo del costruttore | CIGT201610EHR47MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201610EHR47MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610EHR47MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.8A |
Corrente - Saturazione | 5.9A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 22 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610EHR47MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201610EHR47MNE-FT |
CIH05T6N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T82NJNC
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CIH05T9N1JNC
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CIH05T4N3SNC
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CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GM1R0MLE
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CIG32H2R2MNE
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CIG32W1R0MNE
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A40MX02-1VQ80I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27I7
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5SGXEA7K2F40I3LN
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5SGXEA7H3F35I3
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