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codice articolo del costruttore | CIGT201610EH2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201610EH2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610EH2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.5A |
Corrente - Saturazione | 2.9A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 87 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610EH2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201610EH2R2MNE-FT |
CIH05T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GM1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC4005E-2PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
5SGSMD6N3F45I3N
Intel
5SGXEB6R2F43I3L
Intel
LCMXO2-4000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EP4SGX230FF35C4
Intel