casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIGW252010GLR68MNE
codice articolo del costruttore | CIGW252010GLR68MNE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIGW252010GLR68MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252010GLR68MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 680nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 5.2A |
Corrente - Saturazione | 4.2A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 29 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GLR68MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGW252010GLR68MNE-FT |
CIH05T5N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T6N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GM1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation