casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / CBAT54A TR
codice articolo del costruttore | CBAT54A TR |
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Numero di parte futuro | FT-CBAT54A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBAT54A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBAT54A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBAT54A TR-FT |
MBR400100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR400100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR12045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR12030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR12030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR12045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR12060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR12060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20030CT
GeneSiC Semiconductor
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel