casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR400100CTR
codice articolo del costruttore | MBR400100CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR400100CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR400100CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 400A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR400100CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR400100CTR-FT |
FST8340M
GeneSiC Semiconductor
FST8345M
GeneSiC Semiconductor
FST8360M
GeneSiC Semiconductor
FST8380M
GeneSiC Semiconductor
UFT7340M
GeneSiC Semiconductor
UFT7360M
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50045CT
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MBR30020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CTR
GeneSiC Semiconductor
XC2V4000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17C8L
Intel
XC6VLX550T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19I7N
Intel
5CEFA7U19C8N
Intel
EPF10K100EBC356-2N
Intel
EP1S80F1020C5N
Intel
EP20K1500EFC33-3
Intel