casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR12030CTR
codice articolo del costruttore | MBR12030CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR12030CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR12030CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR12030CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR12030CTR-FT |
UFT7340M
GeneSiC Semiconductor
UFT7360M
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CT
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel