casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR12060CT
codice articolo del costruttore | MBR12060CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR12060CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR12060CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR12060CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR12060CT-FT |
MBR30035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CT
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MBR400150CTR
GeneSiC Semiconductor
XC4052XL-1HQ304C
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XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
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M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
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XC5VLX50T-2FFG1136C
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LFE2M50E-6F484I
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LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation