casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR12060CT
codice articolo del costruttore | MBR12060CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR12060CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR12060CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR12060CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR12060CT-FT |
MBR30035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400150CTR
GeneSiC Semiconductor
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation