casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR20030CT
codice articolo del costruttore | MBR20030CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR20030CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR20030CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20030CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR20030CT-FT |
MBR30020CTR
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MBR30030CT
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MBR30030CTR
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LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
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XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel