casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG21M-E3/TR3
codice articolo del costruttore | BYG21M-E3/TR3 |
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Numero di parte futuro | FT-BYG21M-E3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG21M-E3/TR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 120ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21M-E3/TR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG21M-E3/TR3-FT |
SGL41-60-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFD-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFJHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFGHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3N50-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel