casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF3L45-M3/6A
codice articolo del costruttore | VSSAF3L45-M3/6A |
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Numero di parte futuro | FT-VSSAF3L45-M3/6A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSAF3L45-M3/6A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 540mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 450µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 425pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3L45-M3/6A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF3L45-M3/6A-FT |
IMBD4448-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel