casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SE30AFD-M3/6A
codice articolo del costruttore | SE30AFD-M3/6A |
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Numero di parte futuro | FT-SE30AFD-M3/6A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SE30AFD-M3/6A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE30AFD-M3/6A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SE30AFD-M3/6A-FT |
IMBD4148-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.