casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SE20AFJ-M3/6A
codice articolo del costruttore | SE20AFJ-M3/6A |
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Numero di parte futuro | FT-SE20AFJ-M3/6A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SE20AFJ-M3/6A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE20AFJ-M3/6A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SE20AFJ-M3/6A-FT |
IMBD4148-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation