casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SE30AFJ-M3/6A
codice articolo del costruttore | SE30AFJ-M3/6A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SE30AFJ-M3/6A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SE30AFJ-M3/6A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE30AFJ-M3/6A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SE30AFJ-M3/6A-FT |
IMBD4448-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel