casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9E3R2-40B,127
codice articolo del costruttore | BUK9E3R2-40B,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9E3R2-40B,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK9E3R2-40B,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10502pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9E3R2-40B,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9E3R2-40B,127-FT |
PSMN7R0-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN7R6-60XSQ
NXP USA Inc.
PSMN8R5-100XSQ
NXP USA Inc.
PSMN9R5-100XS,127
NXP USA Inc.
PMFPB6532UP,115
NXP USA Inc.
PMFPB6545UP,115
NXP USA Inc.
PMFPB8032XP,115
Nexperia USA Inc.
PMFPB8040XP,115
Nexperia USA Inc.
PMV65UNER
Nexperia USA Inc.
PMZ390UN,315
Nexperia USA Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel