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Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115

Numero parte MFG
PMFPB8032XP,115
quantità disponibile
89910 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.23616
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fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
- MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore PMFPB8032XP,115
Numero di parte futuro FT-PMFPB8032XP,115
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMFPB8032XP,115 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-HUSON-EP (2x2)
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMFPB8032XP,115 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PMFPB8032XP,115-FT

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