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Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115

Name: PMFPB8032XP,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMFPB8032XP,115
Price: 0.23616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (566 reviews)

Numero parte MFG: PMFPB8032XP,115

quantità disponibile: 89910 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.23616

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fabbricante: Nexperia USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMFPB8032XP,115.pdf

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PMFPB8032XP,115 specificazioni

codice articolo del costruttore	PMFPB8032XP,115
Numero di parte futuro	FT-PMFPB8032XP,115
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PMFPB8032XP,115 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 10V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	485mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-HUSON-EP (2x2)
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMFPB8032XP,115 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMFPB8032XP,115-FT

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