casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMFPB8040XP,115
codice articolo del costruttore | PMFPB8040XP,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMFPB8040XP,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMFPB8040XP,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 485mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON-EP (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMFPB8040XP,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMFPB8040XP,115-FT |
NVMFS6B05NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NT3G
ON Semiconductor
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel