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NXP USA Inc. PSMN7R6-60XSQ

Name: PSMN7R6-60XSQ
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN7R6-60XSQ
Availability: InStock
Rating: 4.5 (655 reviews)

Numero parte MFG: PSMN7R6-60XSQ

quantità disponibile: 43880 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 60V TO220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PSMN7R6-60XSQ.pdf

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PSMN7R6-60XSQ specificazioni

codice articolo del costruttore	PSMN7R6-60XSQ
Numero di parte futuro	FT-PSMN7R6-60XSQ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PSMN7R6-60XSQ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	51.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38.7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2651pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	46W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220F
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN7R6-60XSQ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PSMN7R6-60XSQ-FT

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