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NXP USA Inc. PMFPB6532UP,115

Name: PMFPB6532UP,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMFPB6532UP,115
Availability: InStock
Rating: 4.5 (100 reviews)

Numero parte MFG: PMFPB6532UP,115

quantità disponibile: 37580 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMFPB6532UP,115.pdf

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PMFPB6532UP,115 specificazioni

codice articolo del costruttore	PMFPB6532UP,115
Numero di parte futuro	FT-PMFPB6532UP,115
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PMFPB6532UP,115 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 10V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	520mW (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2020-6
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMFPB6532UP,115 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMFPB6532UP,115-FT

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