casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ099N06LS5ATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ099N06LS5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ099N06LS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
BSZ099N06LS5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ099N06LS5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ099N06LS5ATMA1-FT |
IPA80R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAN65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel