casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPAN70R360P7SXKSA1
codice articolo del costruttore | IPAN70R360P7SXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPAN70R360P7SXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPAN70R360P7SXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 26.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAN70R360P7SXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPAN70R360P7SXKSA1-FT |
IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R600CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel