casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA95R750P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA95R750P7XKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPA95R750P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPA95R750P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 712pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA95R750P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA95R750P7XKSA1-FT |
IPA60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R950C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R600CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel