casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPAN70R600P7SXKSA1
codice articolo del costruttore | IPAN70R600P7SXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPAN70R600P7SXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPAN70R600P7SXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 364pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 24.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAN70R600P7SXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPAN70R600P7SXKSA1-FT |
IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R600CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R190CEXKSA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel