casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPAN65R650CEXKSA1
codice articolo del costruttore | IPAN65R650CEXKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPAN65R650CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPAN65R650CEXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAN65R650CEXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPAN65R650CEXKSA1-FT |
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R600CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation