casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ097N10NS5ATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ097N10NS5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ097N10NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ097N10NS5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 36µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2080pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ097N10NS5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ097N10NS5ATMA1-FT |
IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAN65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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