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Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1

Name: BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NEH6327XTSA1
Price: 0.082464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (619 reviews)

Numero parte MFG: BSS806NEH6327XTSA1

quantità disponibile: 74440 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.082464

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSS806NEH6327XTSA1.pdf

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BSS806NEH6327XTSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSS806NEH6327XTSA1
Numero di parte futuro	FT-BSS806NEH6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
BSS806NEH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	0.75V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 2.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	529pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS806NEH6327XTSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSS806NEH6327XTSA1-FT

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