casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI2316BDS-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI2316BDS-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2316BDS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2316BDS-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2316BDS-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2316BDS-T1-GE3-FT |
SI1450DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1467DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1469DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1470DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1470DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1471DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1471DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1472DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1473DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1473DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel