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Vishay Siliconix TP0610K-T1-GE3

Numero parte MFG
TP0610K-T1-GE3
quantità disponibile
54390 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.102184
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore TP0610K-T1-GE3
Numero di parte futuro FT-TP0610K-T1-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
TP0610K-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 185mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TP0610K-T1-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TP0610K-T1-GE3-FT

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