casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI2308BDS-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI2308BDS-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI2308BDS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2308BDS-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2308BDS-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2308BDS-T1-E3-FT |
SI1470DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1470DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1471DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1471DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1472DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1473DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1473DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1480DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1488DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1488DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel