casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP125H6433XTMA1
codice articolo del costruttore | BSP125H6433XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP125H6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS™ |
BSP125H6433XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP125H6433XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP125H6433XTMA1-FT |
IPB10N03LB G
Infineon Technologies
IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R600CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies
SPU07N60C3BKMA1
Infineon Technologies
IPU60R600C6BKMA1
Infineon Technologies
AUIRLU3114Z
Infineon Technologies
SPU01N60C3BKMA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel