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codice articolo del costruttore | IPS70R900P7SAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPS70R900P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPS70R900P7SAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 211pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS70R900P7SAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS70R900P7SAKMA1-FT |
BSC883N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC884N03MS G
Infineon Technologies
BSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03MSGATMA1
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BSZ035N03LSGATMA1
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BSZ050N03LSGATMA1
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BSZ050N03MSGATMA1
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BSZ058N03MSGATMA1
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BSZ0901NSATMA1
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XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
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M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
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