casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRLU3114Z
codice articolo del costruttore | AUIRLU3114Z |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRLU3114Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRLU3114Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3810pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRLU3114Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRLU3114Z-FT |
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Infineon Technologies
BSC889N03MSGATMA1
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