casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRLU3114Z
codice articolo del costruttore | AUIRLU3114Z |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRLU3114Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRLU3114Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3810pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRLU3114Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRLU3114Z-FT |
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ035N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ0901NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ120P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel