casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPSA70R600CEAKMA1
codice articolo del costruttore | IPSA70R600CEAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPSA70R600CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IPSA70R600CEAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 474pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R600CEAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPSA70R600CEAKMA1-FT |
BSC883N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC883N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC884N03MS G
Infineon Technologies
BSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ035N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03MSGATMA1
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation