casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPS70R1K4P7SAKMA1
codice articolo del costruttore | IPS70R1K4P7SAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPS70R1K4P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPS70R1K4P7SAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 158pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 22.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS70R1K4P7SAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS70R1K4P7SAKMA1-FT |
BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC882N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC883N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC883N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC884N03MS G
Infineon Technologies
BSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ035N03LSGATMA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel